十二五中国将重点发展太阳能电池生产设备
- 2012/2/29 9:35:212167
1、太阳能级多晶硅及单晶硅生长、切割、清洗设备产业化
多晶硅生长设备：突破热场分控技术、定向凝固技术，实现投料量吨级及以上产品硅铸锭炉的研发和产业化，并实现成品率达到75%以上。
单晶硅生长设备：突破单晶生长全自动控制技术，实现8英寸（156毫米×156毫米硅片）以上尺寸全自动单晶炉产业化。
切割设备：突破张力控制软件技术、水冷却气密封技术、砂浆温度闭环控制技术等关键技术，保证能满足太阳能硅片大生产切割需求，切割硅片尺寸8英寸，切割精度优于10微米、厚度在180微米以下的太阳能硅片多线切割机产业化。
清洗设备：突破槽体温度控制技术、溶液循环技术、大行程直线传输技术等关键技术，提升产品质量的一致性，实现碎片率小于0.3‰的太阳能晶硅清洗制绒设备产业化，促进晶硅太阳能电池片转化效率提升。
2、全自动晶硅太阳能电池片生产线设备研发及产业化
重点发展扩散炉、等离子增强化学气相沉积设备（PECVD）等关键设备，突破单机自动化及生产线设备之间物流传输自动化技术，实现整线自动化集成。
重点突破自动图像对准技术、柔性传输技术、高精度印刷技术、高速高精度对准技术、测试分选技术、智能化控制及系统集成技术，进一步提高电池片电极印刷、烘干、测试分选速度，实现产能达到1440片/小时以上、碎片率低于0.5%的全自动太阳能印刷线设备产业化。
3、薄膜太阳能生产设备
硅基类薄膜太阳能电池设备：重点提高大面积沉积的均匀性，进一步提升设备运行的稳定性，适度提升自动化程度，提高生产效率。
碲化镉（CdTe）薄膜太阳能电池设备：突破真空镀膜设备技术难点，研发新型升华源的结构，进一步提高温度均匀性，开发在高温、真空环境下的传动系统。
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池设备：突破真空镀膜设备、材料溅射、硒化技术等技术难点，实现元素配比的控制，保证大面积沉积的均匀性，提高生产效率，降低制造成本。实现0.7平方米以上、电池转化效率达14%以上的CIGS整线设备集成。