低发散角半导体激光器芯片技术获突破
- 2012/11/7 11:17:134012
一直以来，半导体激光器的大缺点之一是它较大的发散角及椭圆形出光光斑，这导致较差的光束质量。而光束质量反映的是激光的可会聚性，直接影响到实际应用。目前商业化的半导体激光器均采用全反射波导结构，该结构的激光谐振腔狭小，不对称，导致快轴发散角高达30o～60o，慢轴发散角10o。
研究小组采用双边横向布拉格反射波导结构，该结构通过光子禁带原理进行光学导波，所限制模式为光学缺陷模式，可以有效压缩激光的远场发散角。在成功解决了光子晶体缺陷模式与全反射模式竞争、高质量厚尺度（>10微米）外延生长技术问题后，该小组实现了该器件室温连续激射。器件工作于808纳米，输出功率>2瓦，斜率效率0.531瓦/安，快、慢轴发散角被降低到7.5o和7.2o，出光光斑近圆形。
据悉，该类器件结构不仅可以用于量子阱激光器，还可以拓展到不同波长、不同增益介质的半导体激光器，如量子点、量子级联激光器等。这可以从芯片结构角度彻底改变半导体激光器发散角大而不对称的缺点。该器件核心结构已经申请国家发明4项，目前，研究人员正在抓紧时间优化工艺，进一步提高器件的性能，努力实现实用化。