进口原装中国台湾康百世KOMPASS压力继电器
 

交流接触器的接点，由银钨合金制成，具有良好的导电性和耐高温烧蚀性。

交流接触器动作的动力源于交流通过带铁芯线圈产生的磁场，电磁铁芯由两个「山」字形的幼硅钢片叠成，其中一个固定铁芯，套有线圈，工作电压可多种选择。为了使磁力稳定，铁芯的吸合面加上短路环。交流接触器在失电后，依靠弹簧复位。

另一半是活动铁芯，构造和固定铁芯一样，用以带动主接点和辅助接点的闭合断开。

20A以上的接触器加有灭弧罩，利用电路断开时产生的电磁力，快速拉断电弧，保护接点。

接触器可高频率操作，做为电源开启与切断控制时﹐操作频率可达每小时1200次。

接触器的使用寿命很高，机械寿命通常为数百万次至一千万次，电寿命一般则为数十万次至数百万次。

1．制造工艺的改进。在制造工艺方面由初的单层平面分布发展到后来的多层工艺(有多层高密度和多层多功能两种方式)，以降低成本，增加功能。采用人工超晶格工艺(一种用人工控制晶体晶格大小制造晶体的新工艺)，制造的器件叫超晶格半导体器件。这种器件的速度比硅半导体器件快10—100倍。使用敏感集成电路(在一块芯片上同时集成各种敏感元件及外围电路)，可以缩小体积，降低成本，提高可靠性，增加功能。系统的集成方法将从二维结构向三维立体结构发展，这样会实现集成度的新突破，为集成电路的发展拓出一条新的可行之路。　 2．材料的更新。科学家正广泛地探索以新材料取代硅晶体的可行途径。随着微电子技术的高速发展，硅材料的局限性已逐步暴露出来。采用砷化镓、磷化铟等氧化物半导体材料和超导材料、金刚石材料制造集成电路，可以提高集成电路的开关速度、抗辐射能力和工作温度(金刚石集成电路可在500℃—700℃下正常工作)。2000年2月12日，德国埃森大学和汉诺威大学宣布联合研制成功在硅板上生长锗半导体，由此制成的集成电路其开关速度将大大快于硅集成电路。同时，采用在有机物原子的化学链中储存信息的技术所研制的“生物芯片”也取得了一些进展。

3．芯片尺寸的增大。芯片尺寸的增大可为集成度的提高提供物质基础，并且芯片尺寸越大，集成电路的平均成本越低。1998年，芯片尺寸已由原来的3—4英寸，增大到8—10英寸。已经达到12英寸。预计今后几年芯片的容量将达到令人震惊的程度，即一个芯片上可包含10亿个元件，其电路仅有几个原子那么薄。这必然会带来芯片功能密度和性能价格比的大幅度提高。

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APSF-125-1 APSF-125-2 APSF-125-3 APSF-125-4
APSF-275-1 APSF-275-2 APSF-275-3 APSF-275-4
APSF-400-1 APSF-400-2 APSF-400-3 APSF-400-4

VQ325-60-18-FRAA   VQ325-66-22-FRAA 
 VQ325-76-26-FRAA   VQ325-82-32-FRAA

VQ325-88-38-FRAA   VQ325-94-43-FRAA  
VQ325-108-47-FRAA  VQ325-116-52-FRAA

VQ425-136-18-FRAA      VQ425-156-22-FRAA   
VQ425-189-26-FRAA

APSG-125-1 APSG-125-2 APSG-125-3 APSG-125-4
APSG-275-1 APSG-275-2 APSG-275-3 APSG-275-4

APSH-60-1 APSH-60-2 APSH-60-3 APSH-60-4

VQ425-200-32-FRAA      VQ425-216-38-FRAA    
 VQ425-237-43-FRAA

VQ435-136-60-FRAA VQ435-156-66-FRAA   
  VQ435-189-76-FRAA  VQ435-200-82-FRAA

      VQ435-216-88-FRAA   
  VQ435-237-94-FRAA

APSG-60-1 APSG-60-2 APSG-60-3 APSG-60-4
APSH-125-1 APSH-125-2 APSH-125-3 APSH-125-4
APSH-275-1 APSH-275-2 APSH-275-3 APSH-275-4
APSD-40-1 APSD-40-2 APSD-40-3 APSD-40-4