中国台湾KOMPASS康百世双联变量叶片泵
 

为了减小器件因过压击穿造成损坏的可能性和提高整流装置的可靠性，可采用硅雪崩整流器。在这种器件中，当反向电压超过允许峰值时，在整个PN结上发生均匀的雪崩击穿，器件可工作在高压大电流下，故能承受相当大的反向浪涌功率。制作这种器件时要求材料缺陷少，电阻率均匀，结面平整，外露结区还应进行适当保护，避免发生表面击穿。硒整流器的抗过载容量大，承受反向浪涌功率的能力也较强。

在以大功率二极管或晶闸管为基础的两种基本类型的整流器中，电网的高压交流功率通过整流器变换为直流功率。提到未来（不久的或遥远的）的其它类型整流器：以不可控二极管前沿产品为基础的斩波器、斩波直流/直流变换器或电流源逆变型有源整流器。显然，这种的整流器在技术上包含较多要开发的内容，但是它能显示出优点，例如它以非常小的谐波干扰和1的功率因数加载于电网。

当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流*由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。

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VA1A1-0808F-A1,VA1A1-0808F-A2,VA1A1-0808F-A3,

VA1A1-1212F-A1,VA1A1-1212F-A2,VA1A1-1212F-A3,

VA1A1-1515F-A1,VA1A1-1515F-A2,VA1A1-1515F-A3,

VB1B1-2020F-A1,VB1B1-2020F-A2,VB1B1-2020FA3,

VB1B1-2424F-A1,VB1B1-2424F-A2,VB1B1-2424F-A3,

VD1D1-2525F-A1,VD1D1-2525F-A2,VD1D1-2525F-A3,

VD1D1-3030F-A1,VD1D1-3030F-A2,VD1D1-3030F-A3,

VE1E1-4040F-A1,VE1E1-4040F-A2,VE1E1-4040F-A3,

VE1E1-4545F-A1,VE1E1-4545F-A2,VE1E1-4545F-A3.

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